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康普电子高压瓷片电容器的读数方法和作用介绍
编辑:东莞市康普电子科技福建11选5   发布时间:2019-08-22

        高压瓷片电容器是一种用陶瓷材料作介质,通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。那么,瓷片电容的作用是什么?瓷片电容的读数方法是怎样的?

  高压瓷片电容器的读数方法

  电容器容量的基本单位是“法拉”(F),1法拉的 1/1000000 (百万分之一)是1微法(μF),1微法的 1/1000000是1pF (1微微法或1皮法)。它们之间的关系是百万(或称10的6次方)进位关系。


  我们常用的电容有:

  1、电解电容:多数在1μF以上,直接用数字表示。如:4.7μF、100μF、220μF等等。这种电容的两极有正负之分,长脚是正极。

  2、瓷片电容器:多数在1μF以下,直接用数字表示。如:10、22、0.047、0.1等等,这里要注意的是单位。凡用整数表示的,单位默认pF;凡用小数表示的,单位默认μF。如以上例子中,分别是10P、22P、0.047μF、220μF等。

  现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法(单位默认pF):

  如:“473”即47000pF=0。047μF,“103”即10000pF=0。01μF等等,“ XXX”第一、二个数字是有效数字,第三个数字代表后面添加0的个数。这种表示法已经相当普遍。

  高压瓷片电容器的读数方法和电阻的读数方法基本相同,分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)。

  容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明,如10μF/16V;

  容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;

  字母表示法:2m=2000μF,1P2=1。2PF,2n=2000PF;

  数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。

  例如:102表示标称容量为1000pF。

  211表示标称容量为210pF。

  214表示标称容量为21x10(4)pF。

  在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。例如:219表示标称容量为21x(10-1)pF=2.2pF。

  高压瓷片电容器规格有哪些

  瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。

  瓷片电容有什么作用

  1、容量损耗随温度频率具高稳定性;

  2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性;

  3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰。

  瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

  陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态。(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态

  瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(High Dielectric Constant Type),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵。其特性符合以下标准:

  用途:1)旁路和耦合;2)对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路。



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